A method for depositing a layer of a material on a substrate

专利摘要:
Die vorliegende Erfindung ermöglicht es, präzise ein Material neben einem Strukturelement auf einem Substrat abzuscheiden. Eine Schicht aus dem Material wird auf dem Substrat abgeschieden. Die Schicht wird planarisiert und einem Ätzmittel ausgesetzt. Das Ätzmittel ist dafür ausgelegt, selektiv das Material zu entfernen. Das Aussetzen der Schicht an das Ätzmittel wird vor einem vollständigen Entfernen der Schicht beendet.The present invention makes it possible to precisely deposit a material next to a structural element on a substrate. A layer of the material is deposited on the substrate. The layer is planarized and exposed to an etchant. The etchant is designed to selectively remove the material. The exposure of the layer to the etchant is stopped before complete removal of the layer.
公开号:DE102004004846A1
申请号:DE200410004846
申请日:2004-01-30
公开日:2005-09-08
发明作者:Thomas Feudel；Thorsten Kammler；Christoph Schwan
申请人:Advanced Micro Devices Inc；
IPC主号:H01L21-28

专利说明:
[0001] Dievorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Herstellungvon Halbleitervorrichtungen, insbesondere auf die Abscheidung vonSchichten auf einem Substrat.TheThe present invention relates to the field of manufactureof semiconductor devices, in particular the deposition ofLayers on a substrate.
[0002] IntegrierteSchaltkreise umfassen eine große Anzahleinzelner Schaltkreiselemente wie beispielsweise Transistoren, Kondensatorenund Widerstände.Diese Elemente werden intern verbunden, um komplexe Schaltkreisewie Speichervorrichtungen, Logikbausteine und Mikroprozessoren auszubilden. EineVerbesserung der Leistung integrierter Schaltkreise erfordert eineVerringerung von Strukturgrößen. Nebeneiner Erhöhungder Arbeitsgeschwindigkeit aufgrund verringerter Signalausbreitungszeiten ermöglichenverringerte Strukturgrößen, dieAnzahl funktionaler Elemente im Schaltkreis zur Erweiterung seinesFunktionsumfangs zu erhöhen.integratedCircuits comprise a large numberindividual circuit elements such as transistors, capacitorsand resistances.These elements are internally connected to complex circuitssuch as memory devices, logic devices and microprocessors. AImproving the performance of integrated circuits requires aReduction of structure sizes. Nextan increaseallow the operating speed due to reduced signal propagation timesreduced feature sizes thatNumber of functional elements in the circuit to expand itsRange of functions.
[0003] 1 zeigt eine schematischeQuerschnittsansicht eines Feldeffekttransistors 100 nachdem Stand der Technik. Ein Substrat 101 umfasst ein aktivesGebiet 113. Flachgrabenisolierungen 104, 105 isolierendas aktive Gebiet 113 von benachbarten Schaltkreiselementen.Eine elektrisch leitfähige Gate-Elektrode 102 ist über demSubstrat 101 ausgebildet und von dem Substrat 101 durcheine Gate-Isolierschicht 112 isoliert. Die Gate-Elektrode 102 umfassteine Schutzschicht 103. Eine Deckfläche der Gate-Elektrode 102 istvon einer Bottom Antireflective Coating (BARC)-Schicht 120 bedeckt.Die Gate-Elektrode 102 wird von Seitenwandabstandhaltern 110, 111 flankiert.Ein erhöhtesSourcegebiet 107 und ein erhöhtes Draingebiet 108 sindauf dem Substrat neben den Seitenwandabstandhaltern 110, 111 ausgebildet. 1 shows a schematic cross-sectional view of a field effect transistor 100 According to the state of the art. A substrate 101 includes an active area 113 , Flat grave insulations 104 . 105 isolate the active area 113 from adjacent circuit elements. An electrically conductive gate electrode 102 is above the substrate 101 formed and from the substrate 101 through a gate insulating layer 112 isolated. The gate electrode 102 includes a protective layer 103 , A top surface of the gate electrode 102 is from a bottom anti-reflective coating (BARC) layer 120 covered. The gate electrode 102 is made by sidewall spacers 110 . 111 flanked. An elevated source area 107 and an elevated drainage area 108 are on the substrate next to the sidewall spacers 110 . 111 educated.
[0004] DesWeiteren umfasst der Feldeffekt-Transistor 100 ein erweitertesSourcegebiet 114 und ein erweitertes Draingebiet 115,die in dem Substrat 101 unter dem erhöhten Sourcegebiet 107 bzw.dem erhöhtenDraingebiet 108 ausgebildet sind. Ein Teil des erweitertenSourcegebiets 114, der als "Sourceerweiterung" bezeichnet wird, erstreckt sich unterden Seitenwandabstandhalter 110 und ist der Gate-Elektrode 102 benachbart.Entsprechend erstreckt sich ein Teil des erweiterten Draingebiets 115,der als "Drainerweiterung" bezeichnet wird,unter den Seitenwandabstandhalter 111 und ist der Gate-Elektrode 102 benachbart.Zusammen bilden das erhöhte Sourcegebiet 107 unddas erweiterte Sourcegebiet 114 eine Source des Feldeffekttransistors 100.Entsprechend bilden das erhöhteDraingebiet 108 und das erweiterte Draingebiet 115 zusammenein Drain des Feldeffekttransistors 100.Furthermore, the field effect transistor comprises 100 an extended source area 114 and an extended drainage area 115 that are in the substrate 101 under the elevated source area 107 or the elevated drainage area 108 are formed. Part of the extended source area 114 , referred to as "source extension," extends below the sidewall spacers 110 and is the gate electrode 102 adjacent. Accordingly, a part of the extended drainage area extends 115 , called the "drain extension," under the sidewall spacers 111 and is the gate electrode 102 adjacent. Together form the elevated source area 107 and the extended source area 114 a source of the field effect transistor 100 , Accordingly, the elevated drain area make up 108 and the extended drainage area 115 together a drain of the field effect transistor 100 ,
[0005] Durchdas erhöhteSourcegebiet 107 und das erhöhte Draingebiet 108 wirdder elektrische Widerstand des Feldeffekttransistors 100 imVergleich zu einem Transistor ohne ein erhöhtes Sourcegebiet und ein erhöhtes Draingebiet,mit einem Sourcegebiet ähnlichdem erweiterten Sourcegebiet 114 und einem Draingebiet ähnlich demerweiterten Draingebiet 115, verringert.Due to the increased source area 107 and the elevated drainage area 108 becomes the electrical resistance of the field effect transistor 100 compared to a transistor without a raised source region and an increased drain region, with a source region similar to the extended source region 114 and a drainage area similar to the extended drainage area 115 , reduced.
[0006] Anstattdurch Bereitstellen des erhöhten Sourcegebiets 107 unddes erhöhtenDraingebiets 108 könnteman alternativ den Widerstand des Feldeffekttransistors 100 verringern,indem man im Substrat 101 neben den Seitenwandabstandhaltern 110, 111 einSourcegebiet und ein Draingebiet bereitstellt, die das erweiterteSourcegebiet 114 und das erweiterte Draingebiet 115 teilweise überlappen.Das hätte jedocheine vergrößerte Fläche desp-n-Übergangs zwischender Source bzw. dem Drain und dem aktiven Gebiet 113 zurFolge, was wegen einer Zunahme der Übergangskapazität zu größeren Signalverzögerungenführenwürde.Folglich ist das Bereitstellen des erhöhten Sourcegebiets 107 unddes erhöhten Draingebiets 108 inHochleistungsanwendungen klar von Vorteil.Rather than providing the elevated source region 107 and the elevated drainage area 108 one could alternatively the resistance of the field effect transistor 100 by reducing in the substrate 101 next to the sidewall spacers 110 . 111 provides a source region and a drain region that the extended source region 114 and the extended drainage area 115 partially overlap. However, this would have an increased area of the pn junction between the source and the drain and the active region 113 result, which would lead to greater signal delays due to an increase in the junction capacitance. Consequently, providing the raised source region 107 and the elevated drainage area 108 in high performance applications clearly beneficial.
[0007] EinVerfahren zum Ausbilden eines Feldeffekttransistors mit einem erhöhten Sourcegebietund einem erhöhtenDraingebiet wird mit Bezug auf 1 beschrieben.A method of forming a field effect transistor having an increased source region and an increased drain region will be described with reference to FIG 1 described.
[0008] Zuerstwerden die Isoliergräben 104, 105 unddas aktive Gebiet 113 im Substrat 101 ausgebildet.Anschließendwerden die Gate-Isolierschicht 112, die Gate-Elektrode 102 unddie BARC-Schicht 120 überdem Substrat 101 ausgebildet. Diese Strukturen werden mitfortgeschrittenen Techniken der Ionenimplantation, Abscheidung,Oxidation und Fotolithographie ausgebildet. Anschließend werdendas erweiterte Sourcegebiet 114 und das erweiterte Draingebiet 115 ausgebildet.Dies kann durch Implantieren von Ionen einer Dotiersubstanz in dasSubstrat 101 geschehen. Teile des Substrats außerhalb desTransistors 100, die nicht dotiert werden sollen, werdenmit einer Schicht aus Fotoresist (nicht gezeigt), die Ionen absorbiert,abgedeckt. Nach der Implantation werden die Schutzschicht 103 unddie Seitenwandabstandhalter 110, 111 unter Verwendung vonDepositionstechniken und anisotropen Ätztechniken neben der Gate-Elektrode 102 ausgebildet. Insbesonderekönnendie Seitenwandabstandhalter 110, 111 mit Hilfebekannter Techniken, die ein konformes Abscheiden einer Schichteines Seitenwandabstandhaltermaterials und ein anschließendes Durchführen einesanisotropen Ätzprozesses,der dafürausgelegt ist, das Seitenwandabstandhaltermaterial selektiv zu entfernen,ausgebildet werden. Wegen der Anisotropie des Ätzprozesses bleiben die Seitenwandabstandhalterneben der Gate-Elektrode 102 übrig.First, the isolation trenches 104 . 105 and the active area 113 in the substrate 101 educated. Subsequently, the gate insulating layer 112 , the gate electrode 102 and the BARC layer 120 above the substrate 101 educated. These structures are formed with advanced ion implantation, deposition, oxidation and photolithography techniques. Subsequently, the extended source area 114 and the extended drainage area 115 educated. This can be done by implanting ions of a dopant into the substrate 101 happen. Parts of the substrate outside the transistor 100 which are not to be doped are covered with a layer of photoresist (not shown) which absorbs ions. After implantation, the protective layer 103 and the sidewall spacers 110 . 111 using deposition techniques and anisotropic etching techniques adjacent to the gate electrode 102 educated. In particular, the sidewall spacers 110 . 111 by known techniques which form conformally depositing a layer of sidewall spacer material and then performing an anisotropic etch process designed to selectively remove the sidewall spacer material. Because of the anisotropy of the etching process remain the Sidewall spacer next to the gate electrode 102 left.
[0009] Anschließend wirdein selektiver epitaktischer Wachstumsprozess durchgeführt, umdas erhöhteSourcegebiet 107 und das erhöhte Draingebiet 108 auszubilden.Subsequently, a selective epitaxial growth process is performed around the elevated source region 107 and the elevated drainage area 108 train.
[0010] Selektivesepitaktisches Wachstum ist eine Variante der chemischen Dampfabscheidung,in der Prozessparameter wie Temperatur, Druck und Zusammensetzungdes Reaktionsgases so angepasst sind, dass eine Schicht aus einemMaterial nur in den freiliegenden Teilen des Substrats 101 abgeschieden wird,währendauf den Isoliergräben 104, 105,der BARC-Schicht 120 und den Seitenwandabstandhaltern 110, 111 keineAbscheidung stattfindet. Insbesondere wird in einem Bereich zwischendem Isoliergraben 104 und dem Seitenwandabstandhalter 110 eineSchicht aus dem Material abgeschieden, um das erhöhte Sourcegebiet 107 auszubilden.Zusätzlich wirdin einem Bereich zwischen dem Seitenwandabstandhalter 111 unddem Isoliergraben 105 eine Schicht aus dem Material abgeschieden,um das erhöhteDraingebiet 108 auszubilden. Weitere Schichten 106, 109 können inanderen Bereichen, in denen das Substrat 101 frei liegt,ausgebildet werden.Selective epitaxial growth is a variant of chemical vapor deposition in which process parameters such as temperature, pressure, and composition of the reaction gas are adjusted such that a layer of a material is present only in the exposed portions of the substrate 101 is deposited while on the isolation trenches 104 . 105 , the BARC layer 120 and the sidewall spacers 110 . 111 no deposition takes place. In particular, in a region between the Isoliergraben 104 and the sidewall spacer 110 a layer of the material deposited to the raised source region 107 train. In addition, in an area between the sidewall spacer 111 and the isolation trench 105 a layer of the material is deposited around the elevated drain area 108 train. Further layers 106 . 109 may be in other areas where the substrate 101 is free to be trained.
[0011] Ineinem speziellen Beispiel eines Verfahrens nach dem Stand der Technikumfasst das Substrat Silizium. Die Schutzschicht 103, die BARC-Schicht 120,die Isoliergräben 104, 105 und dieSeitenwandabstandhalter 110, 111 umfassen ein dielektrischesMaterial, beispielsweise Siliziumdioxid und/oder Siliziumnitrid.Beim selektiven epitaktischen Wachstum werden Silan (SiCl₄) und Wasserstoff (H₂) alsAusgangsstoffe verwendet. Bei der Wachstumstemperatur reagierendiese Ausgangsstoffe zu Silizium und Salzsäure. Die Reaktion kann in beidenRichtungen stattfinden. Das durch die Rückreaktion erzeugte Ätzen istwichtig, da es im Zusammenhang mit der Unterdrückung des Siliziumwachstumsauf den von dem Dielektrikum bedeckten Gebieten steht.In a specific example of a prior art process, the substrate comprises silicon. The protective layer 103 , the BARC layer 120 , the isolation trenches 104 . 105 and the sidewall spacers 110 . 111 include a dielectric material, for example, silicon dioxide and / or silicon nitride. Selective epitaxial growth uses silane (SiCl ₄ ) and hydrogen (H ₂ ) as starting materials. At the growth temperature, these starting materials react to form silicon and hydrochloric acid. The reaction can take place in both directions. The etching generated by the backreaction is important because it is related to the suppression of silicon growth on the regions covered by the dielectric.
[0012] Nachdem Ausbilden des Sourcegebiets 107 und des Draingebiets 108 werdendiese Gebiete durch Implantation von Ionen einer Dotiersubstanz dotiert.After forming the source region 107 and the drainage area 108 These regions are doped by implantation of ions of a dopant.
[0013] Abschließend kannein Annealing durchgeführtwerden, um Dotiersubstanzen in dem aktiven Gebiet 113,dem erweiterten Sourcegebiet 114, dem erweiterten Draingebiet 115,dem erhöhtenSourcegebiet 107 und dem erhöhten Draingebiet 108 zuaktivieren.Finally, annealing may be performed to remove dopants in the active region 113 , the extended source area 114 , the extended drainage area 115 , the elevated source area 107 and the elevated drainage area 108 to activate.
[0014] EinProblem, das bei dem Verfahren nach dem Stand der Technik zum Ausbildeneines Feldeffekttransistors mit einem erhöhten Sourcegebiet und einemerhöhtenDraingebiet auftritt ist, dass das selektive epitaktische Wachstumin Bereichen von Prozessparametern durchgeführt wird, in denen das abgeschiedeneMaterial epitaktisch wächstund die Kristallstruktur des darunter liegenden Substrats annimmt.Wegen der kristallinen Struktur können jedoch bei der Implantationvon Ionen Channelingeffekte auftreten, die den Dotierprozess nachteilig beeinflussenkönnen.OneProblem encountered in the prior art method of forminga field effect transistor having an increased source region and aincreasedDrainage occurs is that selective epitaxial growthis performed in areas of process parameters in which the depositedMaterial grows epitaxiallyand takes the crystal structure of the underlying substrate.Because of the crystalline structure, however, during implantationof ion channeling effects that adversely affect the doping processcan.
[0015] Einweiteres Problem, das bei dem Verfahren nach dem Stand der Technikzum Ausbilden eines Feldeffekttransistors mit einem erhöhten Sourcegebietund einem erhöhtenDraingebiet auftritt ist, dass bei dem selektiven epitaktischenWachstum aggressive chemische Verbindungen wie Salzsäure erzeugt werden.Diese Verbindungen könnendie Vorrichtung fürdie chemische Dampfabscheidung beschädigen und Bauteile wie beispielsweiseVakuumpumpen korrodieren, wenn nicht aufwendige Gegenmaßnahmen durchgeführt werden.OneAnother problem with the prior art methodfor forming a field effect transistor having a raised source regionand an elevated oneDrainage occurs is that in the selective epitaxialGrowth aggressive chemical compounds such as hydrochloric acid are generated.These connections canthe device fordamage the chemical vapor deposition and components such asVacuum pumps corrode, if not costly countermeasures are carried out.
[0016] Nochein weiteres Problem des Verfahrens nach dem Stand der Technik zumAusbilden eines Feldeffekttransistors mit einem erhöhten Sourcegebietund einem erhöhtenDrain gebiet ist, dass das selektive epitaktische Wachstum immernoch nicht vollständigoptimiert und produktionserprobt ist.YetAnother problem of the prior art method forForming a field effect transistor with an increased source regionand an elevated oneDrain area is that selective epitaxial growth alwaysnot yet completeoptimized and production-proven.
[0017] InHinblick auf die oben erwähntenProbleme besteht ein Bedarf nach Techniken, die das Ausbilden einesFeldeffekttransistors mit einem erhöhten Sourcegebiet und einemerhöhtenDraingebiet ermöglichen,und die mit existierenden Prozessen, die in der Herstellung integrierterSchaltkreise verwendet werden, besser kompatibel sind.InRegard to the above mentionedThere is a need for techniques which require the formation of aField effect transistor with an increased source region and aincreasedAllow drainage area,and those with existing processes that are integrated in manufacturingCircuits used are better compatible.
[0018] Gemäß einerveranschaulichenden Ausführungsformder vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren Bereitstellen einesSubstrats mit einem Strukturelement. Eine Schicht aus einem Material wird über demSubstrat und dem Strukturelement abgeschieden. Die Schicht aus demMaterial wird planarisiert und einem Ätzmittel ausgesetzt, wobeidas Ätzmitteldafür ausgelegtist, die Schicht aus dem Material selektiv zu entfernen. Das Aussetzender Schicht aus dem Material an das Ätzmittel wird vor einem vollständigen Entfernender Schicht beendet.According to oneillustrative embodimentThe present invention comprises a method of providing aSubstrate with a structural element. A layer of a material will over theSubstrate and the structural element deposited. The layer from theMaterial is planarized and exposed to an etchant, whereinthe etchantdesigned for itis to selectively remove the layer from the material. The suspensionthe layer of material to the etchant is prior to complete removalfinished the shift.
[0019] Gemäß einerweiteren veranschaulichenden Ausführungsform der vorliegendenErfindung umfasst ein Verfahren Bereitstellen eines Substrats mit einemStrukturelement. Mindestens ein Abstandhalter, der ein Abstandhaltermaterialumfasst,wird neben dem Merkmal ausgebildet. Der mindestens eine Abstandhalterhat eine winkelige Form. Ein erster Schenkel des mindestens einenAbstandhalters ist im Wesentlichen parallel zu einer Oberfläche des Substrats.Ein zweiter Schenkel des mindestens einen Abstandhalters ist imWesentlichen parallel zu einer Seitenfläche des Strukturelements. EineSchicht aus einem Material wird überdem Substrat und dem Strukturelement abgeschieden. Die Schicht ausdem Material wird planarisiert und einem Ätzmittel ausgesetzt, wobeidas Ätzmitteldafür ausgelegtist, die Schicht aus dem Material selektiv zu entfernen. Es wirddetektiert, wann der Ätzprozessden ersten Schenkel freilegt und das Aussetzen der Schicht aus demMaterial an das Ätzmittelwird nach dem Detektieren des Freilegens des ersten Schenkels beendet.According to another illustrative embodiment of the present invention, a method comprises providing a substrate with a structural element. At least one spacer comprising a spacer material is formed adjacent to the feature. The at least one spacer has an angular shape. A first leg of the at least one spacer is substantially parallel to a surface of the substrate. A second leg of the at least one spacer is substantially parallel to a side surface of the structural element. A layer of a material is deposited over the substrate and the structure element. The layer of material is planarized and exposed to an etchant, wherein the etchant is configured to selectively remove the layer of material. It is detected when the etching process exposes the first leg and the exposure of the layer of the material to the etchant is stopped after detecting the exposure of the first leg.
[0020] Gemäß noch einerweiteren veranschaulichenden Ausführungsform der vorliegendenErfindung umfasst ein Verfahren Bereitstellen eines Substrats miteinem Strukturele ment. Eine Schicht aus einem Material wird über demSubstrat und dem Strukturelement abgeschieden. Die Schicht aus dem Materialumfasst eine Unterschicht, die zusätzlich ein Ätzindikatormaterial enthält. DieSchicht aus dem Material wird planarisiert und einem Ätzmittelausgesetzt, wobei das Ätzmitteldafür ausgelegtist, selektiv die Schicht aus dem Material zu entfernen. Eine für eine chemischeReaktion zwischen dem Ätzindikatormaterialund dem ÄtzmittelrepräsentativeEmissionsintensitätwird gemessen und das Aussetzen der Schicht aus dem Material andas Ätzmittelwird nach einer Detektion einer Veränderung der Emissionsintensität beendet.According to one moreanother illustrative embodiment of the present inventionThe invention includes a method of providing a substrate witha structural element. A layer of a material will over theSubstrate and the structural element deposited. The layer of the materialincludes an underlayer additionally containing an etchant indicator material. TheLayer of the material is planarized and an etchantexposed, the etchantdesigned for itis to selectively remove the layer from the material. One for a chemicalReaction between the caustic indicator materialand the etchantrepresentativeemission intensityis measured and the exposure of the layer of the material tothe etchantis terminated upon detection of a change in emission intensity.
[0021] WeitereVorteile, Aufgaben und Ausführungsformender vorliegenden Erfindung sind in den beigefügten Patentansprüchen definiertund werden mit der folgenden ausführlichen Beschreibung deutlicher,wenn diese mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen gelesen wird.Es zeigen:FurtherAdvantages, tasks and embodimentsThe present invention is defined in the appended claimsand become clearer with the following detailed description,when read with reference to the accompanying drawings.Show it:
[0022] 1 eineschematische Querschnittsansicht eines Feldeffekttransistors nachdem Stand der Technik; 1 a schematic cross-sectional view of a field effect transistor according to the prior art;
[0023] 2a bis 2d schematischeQuerschnittsansichten eines Feldeffekttransistors in Stadien einesHerstellungsprozesses gemäß einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung; und 2a to 2d schematic cross-sectional views of a field effect transistor in stages of a manufacturing process according to an embodiment of the present invention; and
[0024] 3a bis 3c schematischeQuerschnittsansichten eines Feldeffekttransistors in Stadien einesHerstellungsprozesses gemäß einerweiteren Ausführungsformder vorliegenden Erfindung. 3a to 3c schematic cross-sectional views of a field effect transistor in stages of a manufacturing process according to another embodiment of the present invention.
[0025] Obwohldie vorliegende Erfindung mit Bezug auf die in der folgenden ausführlichenBeschreibung und in den Zeichnungen beschriebenen Ausführungsformenbeschrieben wird, sollte verstanden werden, dass die folgende ausführlicheBeschreibung und die Zeichnungen nicht beabsichtigen, die vorliegendeErfindung auf die offenbarten speziellen Ausführungsformen zu beschränken, sondernvielmehr geben die beschriebenen veranschaulichenden Ausführungsformenlediglich Beispiele fürdie verschiedenen Aspekte der vorliegenden Erfindung, deren Umfangin den beigefügtenPatentansprüchen definiertist.Even thoughthe present invention with reference to the following in detailDescription and embodiments described in the drawingsIt should be understood that the following detailedDescription and drawings are not intended to be the presentTo limit the invention to the specific embodiments disclosed, butrather, the described illustrative embodiments providejust examples ofthe various aspects of the present invention, their scopein the attachedClaims definedis.
[0026] Dievorliegende Erfindung ermöglichtes, präziseein Material neben einem Strukturelement auf einem Substrat abzuscheiden,ohne dass dafür dieAnwendung selektiven epitaktischen Wachstums erforderlich ist. InAusführungsformender vorliegenden Erfindung wird eine Schicht aus dem Material auf demSubstrat abgeschieden. Die Schicht wird planarisiert, um eine flacheOberfläche,die im Wesentlichen parallel zu einer Oberfläche des Substrats ist, zu erhalten.Anschließendwird die Schicht einem Ätzmittelausgesetzt. Das Ätzmittelist dafürausgelegt, selektiv das abgeschiedene Material zu entfernen, während einMaterial des Strukturelements überhauptnicht oder mit einer wesentlich geringeren Ätzrate geätzt wird. Während des Ätzprozesses rückt dieOberflächeder Schicht in Richtung der Oberfläche des Substrats vor. Da die Ätzrate über diegesamte Oberflächehinweg im Wesentlichen gleich ist, bleibt die Oberfläche derSchicht währenddieses Prozesses zur Oberflächedes Substrats im Wesentlichen parallel.Thepresent invention enablesit, preciseto deposit a material next to a structural element on a substrate,without that for thatApplication of selective epitaxial growth is required. InembodimentsThe present invention provides a layer of the material on theSubstrate deposited. The layer is planarized to a flatSurface,which is substantially parallel to a surface of the substrate.Subsequentlythe layer becomes an etchantexposed. The etchantis for thatdesigned to selectively remove the deposited material while aMaterial of the structural element at allis not etched or etched at a much lower etch rate. During the etching process moves thesurfaceof the layer in the direction of the surface of the substrate. Since the etching rate over theentire surfaceis essentially the same, the surface remains the sameShift duringthis process to the surfaceof the substrate substantially parallel.
[0027] Wegender Selektivitätdes Ätzmittelswird das Strukturelement währenddieses Prozesses nacheinander freigelegt. Der Ätzprozess wird vor einem vollständigen Entfernender abgeschiedenen Schicht beendet, so dass ein Teil des Materialsauf der Oberflächedes Substrats neben dem Strukturelement bleibt.Because ofthe selectivityof the etchantis the structural element duringthis process exposed one by one. The etching process is about to be completely removedthe deposited layer is finished, leaving part of the materialon the surfacethe substrate remains next to the structural element.
[0028] Eineveranschaulichende Ausführungsform dervorliegenden Erfindung wird mit Bezug auf die 2a bis 2d beschrieben.An illustrative embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS 2a to 2d described.
[0029] 2a zeigteine schematische Querschnittsansicht eines Feldeffekttransistors 200 ineinem ersten Stadium des Herstellungsprozesses. In einem Substrat 201 werdenein aktives Gebiet 213 und Isoliergräben 204, 205 ausgebildet.Eine Gate-Isolierschicht 212 und eine von einer BARC-Schicht 220 bedeckteGate-Elektrode 202 werden über dem Substrat 201 ausgebildet.Anschließendwerden ein erweitertes Sourcegebiet 214 und ein erweitertes Draingebiet 215 durchEinbringen von Atomen einer Dotiersubstanz in Bereiche des Substratszwischen der Gate-Elektrode 202 und den Isoliergräben 204, 205 erzeugt.Dies kann durch Aussetzen des Substrats 201 an einen Ionenstrahl,der Ionen der gewünschtenDotiersubstanz, abhängigvon der speziellen Anwendung beispielsweise eine Dotiersubstanz vonN-Typ oder eine Dotiersubstanz vom P-Typ, umfasst, geschehen. 2a shows a schematic cross-sectional view of a field effect transistor 200 at a first stage of the manufacturing process. In a substrate 201 become an active area 213 and isolation trenches 204 . 205 educated. A gate insulating layer 212 and one from a BARC layer 220 covered gate electrode 202 be above the substrate 201 educated. Subsequently, an extended source area 214 and an expanded one drain region 215 by introducing atoms of a dopant into regions of the substrate between the gate electrode 202 and the isolation trenches 204 . 205 generated. This can be done by exposing the substrate 201 to an ion beam comprising ions of the desired dopant, for example, an N-type dopant or a P-type dopant, depending on the specific application.
[0030] Inanderen Ausführungsformender vorliegenden Erfindung könnendas erweiterte Sourcegebiet und das erweiterte Draingebiet mit Hilfethermischer Diffusion ausgebildet werden.Inother embodimentsof the present inventionthe extended source area and the extended drain area with helpthermal diffusion are formed.
[0031] Anschließend wirdeine Schutzschicht 203, die Seitenwände der Gate-Elektrode 202 undTeile des Substrats 201 neben der Gate-Elektrode 202 bedeckt,ausgebildet und daraufhin werden die Abstandhalter 206, 207 ausgebildet.Subsequently, a protective layer 203 , the sidewalls of the gate electrode 202 and parts of the substrate 201 next to the gate electrode 202 covered, trained and then the spacers 206 . 207 educated.
[0032] DieAbstandhalter 206, 207 haben eine gewinkelte Form ähnlich derForm des Buchstabens "L". Der Abstandhalter 206 umfassteinen ersten Schenkel 216, der im wesentlichen parallelzur Oberflächedes Substrats 201 ist und einen zweiten Schenkel 217,der im Wesentlichen parallel zu einer Seitenfläche der Gate-Elektrode 202 ist.Entsprechend umfasst der Abstandhalter 207 einen ersten Schenkel 218,der im Wesentlichen parallel zur Oberfläche des Substrats 201 istund einen zweiten Schenkel 219, der im Wesentlichen parallelzu der Seitenflächeder Gate-Elektrode 202 ist.The spacers 206 . 207 have an angled shape similar to the shape of the letter "L". The spacer 206 includes a first leg 216 which is substantially parallel to the surface of the substrate 201 is and a second leg 217 which is substantially parallel to a side surface of the gate electrode 202 is. Accordingly, the spacer comprises 207 a first leg 218 which is substantially parallel to the surface of the substrate 201 is and a second leg 219 which is substantially parallel to the side surface of the gate electrode 202 is.
[0033] DasAusbilden der Schutzschicht 203 und der Abstandhalter 206, 207 kannfolgendermaßen durchgeführt werden.The formation of the protective layer 203 and the spacer 206 . 207 can be done as follows.
[0034] Ineinigen Ausführungsformenwird zuerst die Schutzschicht 203 über dem Substrat 201,den Seitenwändender Gate-Elektrode 202 und der BARC-Schicht 220 ausgebildet.Anschließendwerden eine Schicht aus dem Abstandhaltermaterial und eine Hilfsschichtabgeschieden. Die Hilfsschicht und die Schutzschicht können imWesentlichen das gleiche Material umfassen.In some embodiments, the protective layer first becomes 203 above the substrate 201 , the side walls of the gate electrode 202 and the BARC layer 220 educated. Subsequently, a layer of the spacer material and an auxiliary layer are deposited. The auxiliary layer and the protective layer may comprise substantially the same material.
[0035] Einerster anisotroper Ätzprozess,der dafür ausgelegtist, selektiv ein Material der Hilfsschicht zu entfernen, wird durchgeführt. Wegender Anisotropie des Ätzprozesseswerden an Seitenflächender Gate-Elektrode 202 Einweg-Seitenwandabstandhalter ähnlich denin 1 gezeigten Seitenwandabstandhaltern 110, 111,die Reste der Hilfsschicht umfassten, gebildet. Anschließend wirdein zweiter Ätzprozess,der dafürausgelegt ist, selektiv das Abstandhaltermaterial zu entfernen,durchgeführt,um die Schicht aus Abstandhaltermaterial mit Ausnahme der Teile,die von den Seitenwandabstandhaltern neben der Gate-Elektrode 202,die Reste der Hilfsschicht umfassen, geschützt werden, zu entfernen. Abschließend wirdein dritter Ätzprozess,der dafür ausgelegtist, selektiv das Material der Hilfsschicht und das Material derSchutzschicht zu entfernen, durchgeführt, um die Seitenwandabstandhalter,die Reste der Hilfsschicht umfassen und diejenigen Teile der Schutzschicht,die nicht von den Abstandhaltern 206, 207 bedecktsind, zu entfernen.A first anisotropic etching process designed to selectively remove a material of the auxiliary layer is performed. Because of the anisotropy of the etching process, side surfaces of the gate electrode become 202 Disposable sidewall spacers similar to those in 1 shown sidewall spacers 110 . 111 formed residues of the auxiliary layer formed. Subsequently, a second etching process designed to selectively remove the spacer material is performed to form the layer of spacer material except for the portions adjacent the sidewall spacers adjacent to the gate electrode 202 containing residues of the auxiliary layer are to be protected. Finally, a third etch process designed to selectively remove the material of the auxiliary layer and the material of the protective layer is performed to include the sidewall spacers, the remainder of the auxiliary layer, and those portions of the protective layer that are not separated from the spacers 206 . 207 are covered, remove.
[0036] Ineiner speziellen Ausführungsformder vorliegenden Erfindung umfasst das Material der Schutzschichtund der Hilfsschicht Siliziumdioxid, während das AbstandhaltermaterialSiliziumnitrid umfasst.Ina special embodimentThe present invention includes the material of the protective layerand the auxiliary layer of silicon dioxide while the spacer materialSilicon nitride includes.
[0037] Das Ätzen kannmit Hilfe von Trockenätzprozessen,die als Plasmaätzen,reaktives Ionenätzen oderionenverstärktes Ätzen bekanntsind, durchgeführtwerden. Beim Trockenätzenerzeugt eine Radiofrequenz-Glühentladungaus einem relativ inerten molekularen Gas eine chemisch reaktiveTeilchensorte wie etwa Atome, Radikale und Ionen. Das Ätzgas wirdso ausgewählt,dass eine erzeugte Teilchensorte chemisch mit dem zu ätzendenMaterial reagiert, wobei ein flüchtigesReaktionsprodukt erzeugt wird. Die Energie von auf dem Substratauftreffenden Ionen kann durch Variieren der beim Erzeugen der Glühentladungangewendeten Frequenz und/oder Anlegen einer Gleichstromvorspannungan das Substrat gesteuert werden. Im Allgemeinen ist der Ätzprozessum so anisotroper oder gerichteter, je größer die Energie der Ionen ist.The etching canwith the help of dry etching processes,as plasma etching,reactive ion etching orion-enhanced etching knownare donebecome. When dry etchinggenerates a radio frequency glow dischargefrom a relatively inert molecular gas, a chemically reactiveParticle species such as atoms, radicals and ions. The etching gas isso selectedthat a particle species produced chemically with the to be etchedMaterial reacts, leaving a volatileReaction product is generated. The energy of on the substrateincident ions can be varied by generating the glow dischargeapplied frequency and / or applying a DC biasbe controlled to the substrate. In general, the etching processthe more anisotropic or directed, the greater the energy of the ions.
[0038] Ineiner Ausführungsformder vorliegenden Erfindung umfassen die Schutzschicht und die HilfsschichtSiliziumdioxid. Selektives Entfernen dieser Schichten kann durchVerwenden eines Ätzgasesmit C₂F₆ und N₂ oder eines Ätzgases mit C₄F₈ und Ar erreicht werden. C₂F₆ und C₄F₈ stellen eine gute Selektivität bezüglich Oxidsund Nitrids zur Verfügung, während N₂ und Ar nicht-selektive Verdünnungsgase sind.Die Schicht aus Abstandhaltermaterial kann Siliziumnitrid umfassen.Selektives Trockenätzendes Abstandhaltermaterials kann mit Hilfe eines Ätzgases, das eine Mischungaus CHF₃ und O₂,CH₂, F₂ und/oderCH₃F oder eine Mischung aus CF₄,Cl₂, HBr und/oder O₂ umfasst,durchgeführtwerden. Die BARC-Schicht 220 kann Siliziumoxynitrid umfassen.In one embodiment of the present invention, the protective layer and the auxiliary layer comprise silicon dioxide. Selective removal of these layers can be achieved by using an etching gas with C ₂ F ₆ and N ₂ or an etching gas with C ₄ F ₈ and Ar. C ₂ F ₆ and C ₄ F ₈ provide good selectivity with respect to oxide and nitride while N ₂ and Ar are non-selective diluent gases. The layer of spacer material may comprise silicon nitride. Selective dry etching of the spacer material may be carried out by means of an etching gas comprising a mixture of CHF ₃ and O ₂ , CH ₂ , F ₂ and / or CH ₃ F or a mixture of CF ₄ , Cl ₂ , HBr and / or O ₂ become. The BARC layer 220 may include silicon oxynitride.
[0039] Inanderen Ausführungsformender vorliegenden Erfindung kann anstelle des Trockenätzens nasschemisches Ätzen verwendetwerden.Inother embodimentsThe present invention may use wet chemical etching instead of dry etchingbecome.
[0040] 2b zeigteine schematische Querschnittsansicht des Feldeffekttransistors 200 ineinem späterenStadium des Herstellungsprozesses. 2 B shows a schematic cross-sectional view of the field effect transistor 200 at a later stage of the manufacturing process.
[0041] EineSchicht 208 aus einem Material wird über dem Substrat 201 abgeschieden.Die Schicht 208 kann amorphes Silizium, polykristallinesSilizium oder kristallines Silizium umfassen.A layer 208 one material becomes over the substrate 201 deposited. The layer 208 can be amorphous silicon, polycrystalline silicon or crystalline silicon.
[0042] EineDicke der Schicht 208 ist größer als eine Höhe der vonder BARC-Schicht 220 bedeckten Gate-Elektrode 202.Die Form der Schicht 208 entspricht einer Topologie derOberflächedes Substrats 201 und der Gate-Elektrode 202.Deshalb umfasst die Schicht 208 einen Höcker über der Gate-Elektrode 202.A thickness of the layer 208 is greater than a height of the BARC layer 220 covered gate electrode 202 , The shape of the layer 208 corresponds to a topology of the surface of the substrate 201 and the gate electrode 202 , Therefore, the layer includes 208 a bump above the gate electrode 202 ,
[0043] Anschließend wirddie Schicht 208 planarisiert. Diese Planarisierung kannmit Hilfe chemisch-mechanischen Polierens durchgeführt werden.Subsequently, the layer 208 planarized. This planarization can be carried out by means of chemical-mechanical polishing.
[0044] Beimchemisch-mechanischen Polieren wird das Substrat 201 relativzu einem Polierpad bewegt. Dem Polierpad wird ein Poliermittel zugeführt. Das Poliermittelenthälteine chemische Verbindung, die mit dem Material der Schicht 208 reagiert.Das Reaktionsprodukt wird durch Schleifmittel, die im Poliermittelund/oder im Polierpad vorhanden sind, entfernt. Dabei wird ein Teil 209 derSchicht 208 überder in 2b gezeigten gestrichelten Linie 210 entfernt. Insbesondereumfasst der entfernte Teil 209 den Höcker über der Gate-Elektrode 202.In chemical mechanical polishing, the substrate becomes 201 moved relative to a polishing pad. The polishing pad is supplied with a polishing agent. The polishing agent contains a chemical compound associated with the material of the layer 208 responding. The reaction product is removed by abrasives present in the polish and / or polishing pad. It becomes a part 209 the layer 208 over the in 2 B shown dashed line 210 away. In particular, the removed part comprises 209 the cusp over the gate electrode 202 ,
[0045] Inweiteren Ausführungsformender vorliegenden Erfindung könnenzum Planarisieren der Schicht 208 andere bekannte Planarisierungstechniken,wie etwa Zurückätzen einerOpferschicht, verwendet werden.In further embodiments of the present invention, for planarizing the layer 208 other known planarization techniques, such as etch back a sacrificial layer, may be used.
[0046] Nachder Planarisierung wird ein Ätzprozess, derin bestimmten Ausführungsformenals ein isotroper Ätzprozessausgelegt sein kann und in dem die Schicht 208 einem Ätzmittelausgesetzt wird, durchgeführt.Das Ätzmittelist so ausgelegt, dass selektiv das Material der Schicht 208 entferntwird, während dieMaterialien der BARC-Schicht 220 und der Abstandhalter 206, 207 vondem Ätzmittelnur geringfügigangegriffen werden. Der Ätzprozesskann Trockenätzenumfassen. Selektivitätdes Ätzprozesses kanndurch Bereitstellen eines Ätzgases,das so ausgewähltist, dass eine reaktive Teilchensorte, die stark mit dem Materialder Schicht 208, aber nur schwach mit dem Abstandhaltermaterialund dem Material der Schutzschicht 202 reagiert, erzeugtwird, erreicht werden.After planarization, an etch process may be implemented, which in certain embodiments may be designed as an isotropic etch process and in which the layer 208 is exposed to an etchant. The etchant is designed so that selectively the material of the layer 208 is removed while the materials of the BARC layer 220 and the spacer 206 . 207 are only slightly attacked by the etchant. The etching process may include dry etching. Selectivity of the etching process may be achieved by providing an etching gas that is selected to be a reactive species of particle that strongly associates with the material of the layer 208 but only weakly with the spacer material and the material of the protective layer 202 reacted, generated, be achieved.
[0047] InAusführungsformender vorliegenden Erfindung, in denen die Schicht 208 Siliziumumfasst, die BARC-Schicht 220 Siliziumoxynitrid umfasstund das Abstandhaltermaterial Siliziumnitrid umfasst, wird ein Ätzprozess,der eine hohe Selektivitätdes Ätzensvon Silizium bezüglichSiliziumnitrid und Siliziumoxid aufweist, verwendet. Dies kann durchVerwenden eines Ätzgases,das CF₄, SF₆, Cl₂, HBr und O₂ enthält, geschehen.Das Ätzenkann bei einer niedrigen Vorspannungsleistung und einem hohen magnetischenFeld durchgeführtwerden, um niedrige Ionenenergien und somit eine Dominanz des chemischen Ätzens über dasphysikalische Ätzenzu erreichen.In embodiments of the present invention, in which the layer 208 Silicon includes the BARC layer 220 Siliconoxynitride and the spacer material comprises silicon nitride, an etching process having a high selectivity of etching silicon with respect to silicon nitride and silicon oxide is used. This can be done by using an etching gas containing CF ₄ , SF ₆ , Cl ₂ , HBr and O ₂ . The etching can be performed at a low bias power and a high magnetic field to achieve low ion energies, and thus dominance of chemical etching via physical etching.
[0048] Beim Ätzprozessrückt dieOberflächeder Schicht 208 in Richtung der Oberfläche des Substrats 208 vor.Da die Oberflächeder Schicht 208 flach ist, bleibt die lokale Dicke derSchicht 208 im Wesentlichen gleichmäßig, unabhängig davon, ob der Ätzprozessanisotrop ist oder nicht. Deshalb können sowohl isotrope als auchanisotrope Ätzprozesseverwendet werden.In the etching process, the surface of the layer moves 208 towards the surface of the substrate 208 in front. Because the surface of the layer 208 flat, the local thickness of the layer remains 208 substantially uniform, regardless of whether the etching process is anisotropic or not. Therefore, both isotropic and anisotropic etch processes can be used.
[0049] Wegender im Wesentlichen gleichmäßigen Verringerungder Dicke der Schicht 208 bleibt die Schichtoberfläche im Wesentlichenparallel zu der Oberflächedes Substrats 201.Because of the substantially uniform reduction in the thickness of the layer 208 the layer surface remains substantially parallel to the surface of the substrate 201 ,
[0050] Sobalddie Dicke der Schicht 208 kleiner als die Höhe der vonder BARC-Schicht 220 bedeckten Gate-Elektrode 202 wird,taucht die Gate-Elektrode 202 an der Oberfläche derSchicht 208 auf. Wegen der Selektivität des Ätzprozesses bleiben die BARC-Schicht 220 unddie Abstandhalter 206, 207 vom Ätzmittelim Wesentlichen unbeeinträchtigtund schützendamit die Gate-Elektrode 202 davor, geätzt zu werden. Folglich wirddie Gate-Elektrode 202 allmählich freigelegt,währenddas Ätzender Schicht 208 andauert und die Dicke der Schicht 208 weiter verringertwird.Once the thickness of the layer 208 smaller than the height of the BARC layer 220 covered gate electrode 202 becomes, the gate electrode emerges 202 at the surface of the layer 208 on. Because of the selectivity of the etching process, the BARC layer remains 220 and the spacers 206 . 207 Essentially unaffected by the etchant and thus protect the gate electrode 202 from being etched. As a result, the gate electrode becomes 202 gradually exposed while etching the layer 208 lasts and the thickness of the layer 208 is further reduced.
[0051] Während des Ätzens wirdeine füreine chemische Reaktion zwischen dem Ätzmittel und dem AbstandhaltermaterialrepräsentativeEmissionsintensitätgemessen.During the etching isone fora chemical reaction between the etchant and the spacer materialrepresentativeemission intensitymeasured.
[0052] AngeregteMoleküle,die durch die elektrische Entladung in dem Ätzgas oder durch chemische Reaktionenzwischen der reaktiven Teilchensorte und dem Material auf der Oberfläche desSubstrats erzeugt werden, emittieren Licht, wenn Elektronen auseinem Zustand hoher Energie in einen Zustand geringer Energie relaxieren.Ein Spektrum des emittierten Lichts ist für die Zusammensetzung des Plasmascharakteristisch. Die Intensitätvon Spektrallinien im Spektrum ist für die Konzentration bestimmter Artenvon Atomen, Ionen und Molekülenrepräsentativ.Eine Messung einer Emissionsintensität mindestens einer von einemProdukt der chemischen Reaktion zwischen dem Ätzmittel und dem AbstandhaltermaterialemittiertenSpektrallinie ergibt ein Maß für die Konzentrationdieses Produkts, die fürdie Rate, mit der die Reaktion stattfindet, repräsentativ ist.excitedmoleculesby the electrical discharge in the etching gas or by chemical reactionsbetween the reactive particle type and the material on the surface of theSubstrate generated emit light when electrons outrelax a high energy state to a low energy state.A spectrum of the emitted light is for the composition of the plasmacharacteristic. The intensitySpectral lines in the spectrum is for the concentration of certain speciesof atoms, ions and moleculesrepresentative.A measurement of an emission intensity of at least one of oneProduct of the chemical reaction between the etchant and the spacer material emittedSpectral line gives a measure of the concentrationthis product forthe rate at which the reaction takes place is representative.
[0053] DieMessung der Emissionsintensitätkann durch Richten von in der Näheder Oberflächedes Substrats 201 emittiertem Licht auf einen Detektor, dermit einem Filter, der Licht mit der Wellenlänge der von dem Produkt derchemischen Reaktion zwischen dem Ätzmittel und dem AbstandhaltermaterialemittiertenSpektrallinie durchlässt,ausgestattet ist. Alternativ kann der Detektor mit einem Monochromator ausgestattetsein, der dafürausgelegt ist, die Wellenlängeder Spektrallinie durchzulassen.The measurement of emission intensity can be made by directing near the surface of the substrate 201 emitted light to a detector, which uses a filter, the light with the wavelength of the product of the chemical reaction between the etchant and the spacer material emitted spectral line. Alternatively, the detector may be equipped with a monochromator designed to pass the wavelength of the spectral line.
[0054] InAusführungsformender vorliegenden Erfindung, in denen das Abstandhaltermaterial Siliziumnitridumfasst, kann die Messung der füreine chemische Reaktion zwischen dem Abstandhaltermaterial und dem ÄtzmittelrepräsentativenEmissionsintensitäteine Messung der Intensitäteiner Spektrallinie von N mit einer Wellenlänge von 674 nm und/oder eineMessung der Intensitäteiner Spektrallinie von CN mit einer Wellenlänge von 387 nm umfassen.Inembodimentsof the present invention in which the spacer material is silicon nitrideincludes, the measurement of thea chemical reaction between the spacer material and the etchantrepresentativeemission intensitya measurement of intensitya spectral line of N with a wavelength of 674 nm and / or aMeasurement of intensitya spectral line of CN with a wavelength of 387 nm.
[0055] Inder Anfangsphase ist die gemessene Emissionsintensität klein,da das gesamte Substrat 201 von der Schicht 208 bedecktist, die die Abstandhalter 206, 207 vor chemischenReaktionen mit dem Ätzmittelschützt.Währenddas Ätzenfortschreitet, werden die Spitzen der ersten Schenkel 217, 219 der Seitenwandabstandhalter 206, 207 freigelegt.Dies führtzu einer Zunahme der gemessenen Emissionsintensität, da dasAbstandhaltermaterial mit dem Ätzmittelreagiert, wenn auch wesentlich weniger intensiv als die Schicht 208.Die Emissionsintensität nimmtlangsam zu, währendder Ätzprozessfortschreitet und größere Teileder ersten Schenkel 217, 219 freigelegt werden.Sobald die zweiten Schenkel 216, 218 der Abstandhalter 206, 207 freigelegtwerden, kann eine weitere Zunahme der Emissionsintensität beobachtetwerden, da die Oberflächeder Schicht 208 im Wesentlichen parallel zur Substratoberfläche bleibt,währendsie auf das Substrat hin vorrückt,so dass das Freilegen der zweiten Schenkel 216, 218 üblicherweisesehr schnell geschieht.In the initial phase, the measured emission intensity is small because the entire substrate 201 from the shift 208 covered is the spacers 206 . 207 protects against chemical reactions with the etchant. As the etching progresses, the tips of the first legs become 217 . 219 the sidewall spacer 206 . 207 exposed. This results in an increase in the measured emission intensity as the spacer material reacts with the etchant, albeit much less intensely than the layer 208 , The emission intensity increases slowly as the etching process progresses and larger portions of the first legs 217 . 219 be exposed. Once the second leg 216 . 218 the spacer 206 . 207 a further increase in emission intensity can be observed as the surface of the layer 208 remains substantially parallel to the substrate surface as it advances toward the substrate so as to expose the second legs 216 . 218 usually happens very fast.
[0056] DasFreilegen der zweiten Schenkel wird detektiert. Dies geschieht durchDetektieren der Zunahme der gemessenen Emissionsintensität. Auf Grundlageder Detektion kann dann das Aussetzen der Schicht 208 andas Ätzmittelbeendet werden.The exposure of the second leg is detected. This is done by detecting the increase in measured emission intensity. Based on the detection, then the exposure of the layer 208 be terminated to the etchant.
[0057] DieDetektion der Zunahme der Emissionsintensität kann durch Vergleichen dergemessenen Emissionsintensitätmit einem ersten Schwellwert geschehen. Der Ätzprozess kann dann beendetwerden, beispielsweise sobald die Emissionsintensität den erstenSchwellwert überschreitet.TheDetection of the increase in emission intensity can be made by comparing themeasured emission intensityhappen with a first threshold. The etching process can then be terminatedfor example, once the emission intensity is the firstThreshold exceeds.
[0058] Ineiner anderen Ausführungsformder vorliegenden Erfindung wird die Detektion der Zunahme der Emissionsintensität durchBerechnen eines Gradienten der gemessenen Emissionsintensität und Vergleichendes Gradienten mit einem zweiten Schwellwert durchgeführt. Der Ätzprozesskann beendet werden, sobald der Gradient der Emissionsintensität den zweitenSchwellwert überschreitet.Vorteilhafterweise kann Detektieren der Zunahme auf Grundlage desGradienten der Emissionsintensität einepräzisereDetektion des Freilegens der zweiten Schenkel ermöglichen,da der schnelle Anstieg der Emissionsintensität beim Freilegen der zweiten Schenkel 216, 218 zumäßig hohenWerten des Gradienten führenkann.In another embodiment of the present invention, the detection of the increase in emission intensity is performed by calculating a gradient of the measured emission intensity and comparing the gradient to a second threshold. The etching process may be terminated as soon as the gradient of the emission intensity exceeds the second threshold. Advantageously, detecting the increase based on the gradient of the emission intensity may allow a more precise detection of the exposure of the second limbs, because of the rapid increase in the emission intensity upon exposure of the second limbs 216 . 218 can lead to moderately high values of the gradient.
[0059] Dererste und der zweite Schwellwert können durch Durchführen einerReihe von Experimenten bestimmt werden. In jedem Experiment wirdein Feldeffekttransistor ähnlichdem in 2b gezeigten Feldeffekttransistor 200 odereine andere geeignete Teststruktur hergestellt. Nach der Planarisierungwird der Feldeffekttransistor dem Ätzmittel ausgesetzt. Der Ätzprozesswird nach einer vorbestimmten Ätzzeitbeendet. In den einzelnen Experimenten werden unterschiedliche Ätzzeitenverwendet. Währenddes Ätzenswerden die Emissionsintensitätund/oder der Gradient der Emissionsintensität aufge zeichnet. Anschließend werdendie Feldeffekttransistoren beispielsweise durch Mikroskopie untersucht,um zu bestimmen, ob die zweiten Schenkel 216, 218 derAbstandhalter 206, 207 freigelegt sind. Die unmittelbar vordem Beenden des Ätzprozessesbestimmten Emissionsintensitätenund/oder Gradienten werden dann mit den Ergebnissen der mikroskopischenUntersuchung in Beziehung gesetzt, um typische Werte der Emissionsintensität und/oderihres Gradienten beim Freilegen der zweiten Schenkel zu ermitteln. DieseWerte könnenals der erste bzw. der zweite Schwellwert verwendet werden.The first and second thresholds can be determined by performing a series of experiments. In each experiment, a field effect transistor similar to that in 2 B shown field effect transistor 200 or another suitable test structure. After planarization, the field effect transistor is exposed to the etchant. The etching process is terminated after a predetermined etching time. Different etching times are used in the individual experiments. During the etching, the emission intensity and / or the gradient of the emission intensity are recorded. Subsequently, the field effect transistors are examined by microscopy, for example, to determine if the second legs 216 . 218 the spacer 206 . 207 are exposed. The emission intensities and / or gradients determined immediately prior to the completion of the etching process are then correlated with the results of the microscopic examination to determine typical values of the emission intensity and / or its gradient upon exposure of the second legs. These values can be used as the first and the second threshold, respectively.
[0060] 2c zeigteine schematische Querschnittsansicht des Feldeffekttransistors 200 nachdem Beenden des Ätzprozesses.Da der Ätzprozessbeim Detektieren des Freilegens der zweiten Schenkel 216, 218 beendetwurde, ist die Dicke der Schicht 208 im Wesentlichen gleichder gesamten Dicke der Gate-Isolierungsschicht 212, derSchutzschicht 203 und der zweiten Schenkel 216, 218 derAbstandhalter 206, 207. 2c shows a schematic cross-sectional view of the field effect transistor 200 after completing the etching process. Since the etching process in detecting the exposure of the second leg 216 . 218 has ended, the thickness of the layer 208 substantially equal to the total thickness of the gate insulation layer 212 , the protective layer 203 and the second leg 216 . 218 the spacer 206 . 207 ,
[0061] Anschließend wirddie Schicht 208 von den Isoliergräben 204, 205 entfernt,um elektrische Kurzschlüssezwischen dem Feldeffekttransistor 200 und benachbartenSchaltkreiselementen zu vermeiden. Dies kann mit Hilfe von den Fachleutenbekannten fotolithographischen Techniken geschehen.Subsequently, the layer 208 from the isolation trenches 204 . 205 removed to electrical short circuits between the field effect transistor 200 and adjacent circuit elements. This can be done with the aid of photolithographic techniques known to those skilled in the art.
[0062] Ineinigen Ausführungsformender vorliegenden Erfindung, die mit Bezug auf 2d beschrieben werden,ist die Deposition der Schicht 208 so ausgelegt, dass dasMaterial in Bereichen 221, 222 über demerweiterten Sourcegebiet 214 und dem erweiterten Draingebiet 215 kristallinist, währenddas Material in Bereichen 223, 224 der Schicht 208 über den Isoliergräben 204, 205 eineamorphe Struktur annimmt. In dieser Abscheidung wird der Einflussdes darunter liegenden Materials auf die Ordnung der Teilchen inder Schicht 208 ausgenützt.In den Bereichen 221, 222 wird die Ordnung derTeilchen von der kristallinen Struktur des Substratmaterials beeinflusst.Da dieser ordnende Einfluss in den Bereichen 223, 224 fehlt,ordnen sich die Teilchen in den Bereichen 223, 224 ineiner amorphen Struktur an.In some embodiments of the present invention, with reference to 2d described is the deposition of the layer 208 designed so that the material in areas 221 . 222 over the extended source area 214 and the extended drainage area 215 is crystalline while the material is in areas 223 . 224 the layer 208 over the isolation trenches 204 . 205 takes on an amorphous structure. In this deposition, the influence of the underlying material on the order of the particles in the layer 208 exploited. In the area chen 221 . 222 The order of the particles is influenced by the crystalline structure of the substrate material. Because of this ordering influence in the areas 223 . 224 missing, the particles arrange themselves in the areas 223 . 224 in an amorphous structure.
[0063] Inspeziellen Ausführungsformender vorliegenden Erfindung kann dieser Effekt angewendet werden,um selektiv die Schicht 208 von den Isoliergräben 204, 205 zuentfernen. Die Schicht 208 wird einem Ätzmittel, das dafür ausgelegtist, das amorphe Mate rial mit einer höheren Ätzrate als das kristallineMaterial zu ätzen,ausgesetzt. Der Ätzprozess wirdwährendeines Zeitintervalls, das ausreichend ist, um das amorphe Materialin den Bereichen 223, 224 von den Isoliergräben zu entfernen,durchgeführt.Wegen der langsameren Ätzratedes kristallinen Materials bleiben Teile der Bereiche 221, 222 über demerweiterten Sourcegebiet 214 und dem erweiterten Draingebiet 215 aufdem Substrat 201. Der Materialverlust in den Bereichen 221, 222 derSchicht 208 kann von vornherein durch entsprechendes Anpassender Dicke der Schenkel 216, 218 berücksichtigtwerden.In specific embodiments of the present invention, this effect can be applied to selectively coat 208 from the isolation trenches 204 . 205 to remove. The layer 208 is exposed to an etchant designed to etch the amorphous material at a higher etch rate than the crystalline material. The etching process is carried out for a time interval sufficient for the amorphous material in the regions 223 . 224 removed from the isolation trenches performed. Because of the slower etch rate of the crystalline material, portions of the regions remain 221 . 222 over the extended source area 214 and the extended drainage area 215 on the substrate 201 , The material loss in the areas 221 . 222 the layer 208 can from the outset by appropriately adjusting the thickness of the legs 216 . 218 be taken into account.
[0064] InAusführungsformen,in denen die Schicht 208 Silizium enthält, kann das Ätzmittel,das dafür ausgelegtist, das amorphe Material mit einer höheren Ätzrate als das kristallineMaterial zu ätzen,CF₄, SF₆, Cl₂, HBr und/oder O₂ enthalten.In embodiments in which the layer 208 Silicon, the etchant adapted to etch the amorphous material at a higher etch rate than the crystalline material may include CF ₄ , SF ₆ , Cl ₂ , HBr, and / or O ₂ .
[0065] Abschließend wirdder Feldeffekttransistor 200 durch Implantieren von Dotiersubstanzionenin die Schicht 208 und Annealen des Feldeffekttransistors 200 zumAusbilden eines erhöhtenSourcegebiets und erhöhtenDraingebiets ähnlichdem erhöhtenSourcegebiet 107 und dem erhöhten Draingebiet 108 desin 1 gezeigten Feldeffekttransistors 100 fertiggestellt.Finally, the field effect transistor 200 by implanting dopant ions into the layer 208 and annealing the field effect transistor 200 for forming an elevated source region and increased drain region similar to the raised source region 107 and the elevated drainage area 108 of in 1 shown field effect transistor 100 completed.
[0066] Eineweitere Ausführungsformder vorliegenden Erfindung wird mit Bezug auf die 3a bis 3c beschrieben.Another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS 3a to 3c described.
[0067] 3a zeigteine schematische Querschnittsansicht des Feldeffekttransistors 300 ineinem ersten Stadium des Herstellungsprozesses. 3a shows a schematic cross-sectional view of the field effect transistor 300 at a first stage of the manufacturing process.
[0068] Ineinem Substrat 301 werden ein aktives Gebiet 313 undIsoliergräben 304, 305 ausgebildet. EineGate-Isolierschicht 312 und eine von einer BARC-Schicht 320 bedeckteGate-Elektrode 302 werden über dem Substrat 301 erzeugt.Anschließendwerden in Gebieten zwischen der Gate-Elektrode 312 undden Isoliergräben 304, 305 einerweitertes Sourcegebiet 314 und ein erweitertes Draingebiet 315 durchEinbringen von Ionen einer Dotiersubstanz ausgebildet. Neben derGate-Elektrode 302 werden eine Schutzschicht 303 undSeitenwandabstandhalter 310, 313 ausgebildet.In a substrate 301 become an active area 313 and isolation trenches 304 . 305 educated. A gate insulating layer 312 and one from a BARC layer 320 covered gate electrode 302 be above the substrate 301 generated. Subsequently, in areas between the gate electrode 312 and the isolation trenches 304 . 305 an extended source area 314 and an extended drainage area 315 formed by introducing ions of a dopant. Next to the gate electrode 302 become a protective layer 303 and sidewall spacers 310 . 313 educated.
[0069] EineSchicht 306 aus einem Material wird über dem Substrat 301 abgeschieden.Die Schicht 306 umfasst eine Unterschicht 307,die zusätzlichzu dem Material der Schicht 306 ein Ätzindikatormaterial enthält.A layer 306 one material becomes over the substrate 301 deposited. The layer 306 includes an underlayer 307 in addition to the material of the layer 306 contains an etchant indicator material.
[0070] DasAbscheiden der Schicht 306 kann unter Verwendung bekannterTechniken wie physikalischer Dampfabscheidung, chemischer Dampfabscheidung undplasmaverstärkterchemischer Dampfabscheidung durchgeführt werden. Eine erste Unterschicht 308,die das Material der Schicht 306 enthält, wird abgeschieden. In derersten Unterschicht 308 ist kein Ätzindikatormaterial oder sindnur sehr kleine Mengen des Ätzindikatormaterialsvorhanden. Anschließendwird die Unterschicht 307, die zusätzlich das Ätzindikatormaterial enthält, alseine zweite Unterschicht auf der ersten Unterschicht 308 abgeschieden.Eine dritte Unterschicht 309, die das Material der Schicht 306,aber nur sehr kleine Mengen des Ätzindikatormaterialsoder überhauptkein Ätzindikatormaterialenthält,wird anschließendauf der Unterschicht 307 abgeschieden. Die einzelnen Unterschichten 307, 308, 309 derSchicht 306 werden konform abgeschieden.The deposition of the layer 306 can be carried out using known techniques such as physical vapor deposition, chemical vapor deposition, and plasma enhanced chemical vapor deposition. A first lower class 308 that the material of the layer 306 contains, is deposited. In the first lower class 308 is not an etchant indicator material or only very small amounts of the etch indicator material are present. Subsequently, the lower layer 307 additionally containing the etching indicator material as a second sub-layer on the first sub-layer 308 deposited. A third lower layer 309 that the material of the layer 306 but containing only very small amounts of the etchant indicator material or no etch indicator material at all, is subsequently applied to the underlayer 307 deposited. The individual sublayers 307 . 308 . 309 the layer 306 are deposited conformally.
[0071] Ineiner Ausführungsformder vorliegenden Erfindung enthalten die erste Unterschicht 308 und diedritte Unterschicht 309 weniger als 10²⁰ Atome/cm³ des Ätzindikatormaterials.In anderen Ausführungsformenkönnendie erste Unterschicht 308 und die dritte Unterschicht 309 wenigerals 10¹⁸ Atome/cm³ desIndikatormaterials enthalten. Eine Dicke der ersten Unterschicht 308 kannim Bereich von 10 nm bis 100 nm liegen. Eine Dicke der Unterschicht 307 kannin dem Bereich von 5 nm bis 50 nm liegen. Eine Dicke der drittenUnterschicht kann im Bereich von 50 nm bis 300 nm liegen.In one embodiment of the present invention, the first sub-layer includes 308 and the third sublayer 309 less than 10 ²⁰ atoms / cm ^{3 of} the caustic indicator material. In other embodiments, the first sub-layer 308 and the third sublayer 309 contain less than 10 ¹⁸ atoms / cm ^{3 of} the indicator material. A thickness of the first sublayer 308 can be in the range of 10 nm to 100 nm. A thickness of the lower layer 307 may be in the range of 5 nm to 50 nm. A thickness of the third sub-layer may be in the range of 50 nm to 300 nm.
[0072] DasMaterial der Schicht 306 kann Silizium enthalten. Das Ätzindikatormaterialkann Germanium enthalten.The material of the layer 306 may contain silicon. The etchant indicator material may contain germanium.
[0073] EineForm der Unterschicht 307 entspricht einer Topographiedes Substrats 301, der Gate-Elektrode 302, derSchutzschicht 306 und der Seitenwandabstandhalter 310, 311.Deshalb weist die Unterschicht 307 einen Höcker über derGate-Elektrode 302 auf. Geneigte Bereiche der Unterschicht 307 sindder Gate-Elektrode 302 benachbart. In einem Abstand zurGate-Elektrode 302 ist die Unterschicht 307 imWesentlichen horizontal.A form of the lower class 307 corresponds to a topography of the substrate 301 , the gate electrode 302 , the protective layer 306 and the sidewall spacer 310 . 311 , That's why the lower class points 307 a bump above the gate electrode 302 on. Inclined areas of the lower layer 307 are the gate electrode 302 adjacent. At a distance to the gate electrode 302 is the lower class 307 essentially horizontal.
[0074] EineOberflächeder Schicht 306 entspricht ebenfalls der Topographie desSubstrats 301. Deshalb weist auch die Oberfläche derSchicht 306 einen Höcker über derGate-Elektrode 312 auf.A surface of the layer 306 also corresponds to the topography of the substrate 301 , That's why the surface of the layer also points 306 a bump above the gate electrode 312 on.
[0075] 3b zeigtden Feldeffekttransistor 300 in einem späteren Stadiumdes Herstellungsprozesses. 3b shows the field effect transistor 300 at a later stage of the manufacturing process.
[0076] DieSchicht 306 wird planarisiert, was unter Verwendung vonPlanarisierungstechniken wie chemisch-mechanischem Polieren oderZurückätzen einerOpferschicht, wie oben beschrieben, geschehen kann.The layer 306 is planarized, which may be done using planarization techniques such as chemical mechanical polishing or sacrificial etch back etching as described above.
[0077] BeimPlanarisieren wird der Höckerder Schicht 306 entfernt. Außerdem wird ein Teil der Unterschicht 307 über derGate-Elektrode entfernt. Die geneigten Bereiche der Unterschicht 307 erstrecken sichbis zur Oberflächeder Schicht 306.When planarizing, the hump of the layer becomes 306 away. It also becomes part of the lower layer 307 removed above the gate electrode. The inclined areas of the lower layer 307 extend to the surface of the layer 306 ,
[0078] Nachder Planarisierung wird die Schicht 306 einem Ätzmittel,das dafürausgelegt ist, selektiv das Material der Schicht 306 zuentfernen, währenddas Material der BARC-Schicht 320 undder Seitenwandabstandhalter 310, 311 von dem Ätzmittelim wesentlichen nicht angegriffen werden, ausgesetzt. Eine Ätzrate derUnterschicht 307 ist einer Ätzrate der ersten Unterschicht 308 derSchicht 306 im Wesentlichen gleich. Deshalb bleibt dieOberflächeder Schicht 306 im Wesentlichen parallel zu einer Oberfläche desSubstrats 301, währendsie währenddes Ätzprozessesauf das Substrat 301 hin vorrückt.After the planarization, the layer becomes 306 an etchant adapted to selectively select the material of the layer 306 remove while the material of the BARC layer 320 and the sidewall spacer 310 . 311 are substantially unaffected by the etchant. An etch rate of the underlayer 307 is an etch rate of the first sublayer 308 the layer 306 essentially the same. Therefore, the surface of the layer remains 306 substantially parallel to a surface of the substrate 301 while they are on the substrate during the etching process 301 advances.
[0079] Während des Ätzens wirdeine füreine chemische Reaktion zwischen dem Ätzindikatormaterial und dem ÄtzmittelrepräsentativeEmissionsintensität gemessen.During the etching isone fora chemical reaction between the etchant indicator material and the etchantrepresentativeEmission intensity measured.
[0080] Dieskann durch Messen einer Emissionsintensität mindestens einer von einemProdukt der chemischen Reaktion zwischen dem Ätzmittel und dem Ätzindikatormaterialemittierten Spektrallinie, ähnlich wiedie Messung der fürdie chemische Reaktion zwischen dem Abstandhaltermaterial und dem Ätzmittel repräsentativenEmissionsintensitätin der mit Bezug auf die 2a bis 2d beschriebenenAusführungsformgeschehen. Die Emissionsintensitätist ein Maß für die Konzentrationdes Produkts, die fürdie Rate, mit der die chemische Reaktion abläuft, repräsentativ ist.This may be accomplished by measuring an emission intensity of at least one spectral line emitted by a product of the chemical reaction between the etchant and the etchant indicator material, similar to measuring the emission intensity representative of the chemical reaction between the spacer material and the etchant in relation to FIG 2a to 2d described embodiment happen. The emission intensity is a measure of the concentration of the product that is representative of the rate at which the chemical reaction proceeds.
[0081] Ineiner Ausführungsformder vorliegenden Erfindung, in der das Material der Schicht 306 Siliziumumfasst und das ÄtzindikatormaterialGermanium umfasst, kann die Messung der Emissionsintensität ein Messender Intensitäteiner Spektrallinie von SiF₄ mit einer Wellenlänge von265,1 nm, 271,0 nm, 275,5 nm oder 303,9 nm umfassen.In one embodiment of the present invention, in which the material of the layer 306 Silicon and the etching indicator material comprises germanium, the measurement of the emission intensity may comprise measuring the intensity of a spectral line of SiF ₄ having a wavelength of 265.1 nm, 271.0 nm, 275.5 nm or 303.9 nm.
[0082] Inder Anfangsphase des Ätzprozesseswird eine kleine Emissionsintensität gemessen, da nur das Ätzindikatormaterialin den geneigten Bereichen der Unterschicht 307 mit dem Ätzmittelreagiert. Währenddie Oberflächeder Schicht 306 auf das Substrat 301 hin vorrückt, bleibtdie Emissionsintensitätso lange klein, bis die Oberflächeder Schicht 306 die horizontalen Bereiche der Unterschicht 307 erreicht.Dann reagiert das Ätzindikatormaterialin den horizontalen Bereichen der Unterschicht 307 mit dem Ätzmittel,was zu einer Zunahme der gemessen Emissionsintensität führt.In the initial phase of the etching process, a small emission intensity is measured since only the etching indicator material is in the inclined regions of the underlayer 307 reacts with the etchant. While the surface of the layer 306 on the substrate 301 advances, the emission intensity remains small until the surface of the layer 306 the horizontal areas of the lower layer 307 reached. Then, the etching indicator material reacts in the horizontal regions of the underlayer 307 with the etchant, resulting in an increase in the measured emission intensity.
[0083] DasAussetzen der Schicht 306 an das Ätzmittel kann auf Grundlagedes Detektierens der Zunahme der Emissionsintensität beendetwerden.Exposing the layer 306 to the etchant may be terminated based on detecting the increase in emission intensity.
[0084] DasDetektieren der Zunahme der Emissionsintensität kann durch Vergleichen dergemessenen Emissionsintensitätmit einem dritten Schwellwert geschehen. Beispielsweise kann der Ätzprozess beendetwerden, sobald die Emissionsintensität den dritten Schwellwert überschreitet.TheDetecting the increase in emission intensity can be done by comparing themeasured emission intensityhappen with a third threshold. For example, the etching process can be endedas soon as the emission intensity exceeds the third threshold.
[0085] Inanderen Ausführungsformender vorliegenden Erfindung kann die Zunahme der Emissionsintensität durchVergleichen eines Gradienten der gemessenen Emissionsintensität mit einemvierten Schwellwert detektiert werden. Beispielsweise kann der Ätzprozessbeendet werden, sobald der Gradient der Emissionsintensität den viertenSchwellwert überschreitet.Vorteilhafterweise kann ein Detektieren der Zunahme der Emissionsintensität auf Grundlageihres Gradienten eine genauere Detektion der schnellen Zunahme derEmissionsintensität,die dem Freilegen der horizontalen Bereiche der Unterschicht 307 entspricht,ermöglichen.In other embodiments of the present invention, the increase in emission intensity may be detected by comparing a gradient of the measured emission intensity to a fourth threshold. For example, the etching process can be terminated as soon as the gradient of the emission intensity exceeds the fourth threshold. Advantageously, detecting the increase in emission intensity based on its gradient may provide a more accurate detection of the rapid increase in emission intensity associated with the exposure of the horizontal regions of the underlayer 307 corresponds to allow.
[0086] Inweiteren Ausführungsformender vorliegenden Erfindung kann anstatt einer Zunahme eine Abnahmeder Emissionsintensitätdetektiert werden. Wenn der Ätzprozessnach dem Freilegen der horizontalen Bereiche der Unterschicht 307 fortgesetzt wird,nimmt die gemessene Emissionsintensität bis zu einem sehr kleinenWert ab, da die Unterschicht 307 vollständig entfernt ist.In further embodiments of the present invention, instead of an increase, a decrease in emission intensity may be detected. When the etching process after exposing the horizontal portions of the underlayer 307 is continued, the measured emission intensity decreases to a very small value, since the lower layer 307 completely removed.
[0087] DieAbnahme der Emissionsintensitätkann durch Vergleichen der Emissionsintensität mit einem fünften Schwellwert,der kleiner als der maximale Wert der Emissionsintensität, der während dem Ätzen derhorizontalen Bereiche der Unterschicht 307 auftritt ist,detektiert werden. Der Ätzprozesskann dann beendet werden, sobald die Emissionsintensität unterden fünftenSchwellwert fällt.The decrease in emission intensity may be accomplished by comparing the emission intensity to a fifth threshold that is less than the maximum value of the emission intensity obtained during the etching of the horizontal regions of the underlayer 307 occurs, can be detected. The etching process may then be terminated as soon as the emission intensity falls below the fifth threshold.
[0088] Alternativkann die Abnahme der Emissionsintensität durch Vergleichen des Gradientender Emissionsintensitätmit einem sechsten Schwellwert kleiner als Null detektiert werden.Der Ätzprozess kannbeendet werden, sobald die Emissionsintensität unter den sechsten Schwellwertfällt.alternativemay decrease the emission intensity by comparing the gradientthe emission intensitydetected with a sixth threshold less than zero.The etching process canbe terminated once the emission intensity is below the sixth thresholdfalls.
[0089] Vorteilhafterweiseermöglichtein Beenden des Ätzprozessesbei der Detektion einer Abnahme der Emissionsintensität ein wesentlichesEntfernen der Unterschicht 307, so dass mögliche nachteilige Effekte,die von der Gegenwart des Ätzindikatormaterialsverursacht werden, minimiert werden.Advantageously, terminating the etch process in detecting a decrease in emission intensity allows substantial removal of the underlayer 307 so that possible adverse effects caused by the presence of the etching indicator material are minimized.
[0090] Werteder dritten bis sechsten Schwellwerte können durch Durchführen einerReihe von Experimenten bestimmt werden. In jedem Experiment wird einFeldeffekttransistor ähnlichdem in 3b gezeigten Feldeffekttransistor 300 odereine andere geeignete Teststruktur ausgebildet. Anschließend werdendie Feldeffekttransistoren einem Ätzmittel ausgesetzt, das dafür ausgelegtist, selektiv das Schichtmaterial zu entfernen. Der Ätzprozesswird nach einer vorbestimmten Ätzzeitbeendet. In den einzelnen Experimenten werden unterschiedliche Ätzzeiten verwendet.Nach dem Ätzenwerden die Feldeffekttransistoren untersucht, beispielsweise durchMikroskopie, um die Dicke der auf den Feldeffekttransistoren verbleibendenMaterialschicht zu bestimmen und um zu bestimmen, ob die Unterschichten,die das Ätzindikatormaterialenthalten, freigelegt sind. Die Ergebnisse der Untersuchung derFeldeffekttransistoren werden mit Emissionsintensitäten und/oderGradienten von Emissionsintensitäten,die unmittelbar vor dem Beenden des Ätzprozesses gemessen wurden,in Beziehung gesetzt, um typische Werte der Emissionsintensität und deremGradienten, die währenddes Ätzensder horizontalen Be reiche der Unterschichten mit dem Ätzindikatormaterialauftreten, zu bestimmen, die als Schwellwerte verwendet werden können.Values of the third to sixth thresholds can be determined by performing a series of experiments. In each experiment, a field effect transistor similar to that in 3b shown field effect transistor 300 or another suitable test structure. Subsequently, the field effect transistors are exposed to an etchant which is designed to selectively remove the layer material. The etching process is terminated after a predetermined etching time. Different etching times are used in the individual experiments. After etching, the field effect transistors are inspected, for example by microscopy, to determine the thickness of the material layer remaining on the field effect transistors and to determine if the sublayers containing the etch indicator material are exposed. The results of the investigation of the field effect transistors are related to emission intensities and / or gradients of emission intensities measured immediately before the completion of the etching process to give typical values of the emission intensity and gradient during the etching of the horizontal regions of the sublayers the etchant indicator material, which can be used as threshold values.
[0091] 3c zeigtden Feldeffekttransistor 300 nach dem Beenden des Ätzprozesses.Neben der Gate-Elektrode 302 bleiben Teile der Schicht 306 auf derOberflächedes Substrats 301. In einigen Ausführungsformen können auchnoch Reste der Unterschicht 307 auf der Oberfläche derSchicht 306 vorhanden sein. Eine Dicke der Schicht 306 isteiner Dicke der ersten Unterschicht 308 der Schicht 306 im Wesentlichengleich. 3c shows the field effect transistor 300 after completing the etching process. Next to the gate electrode 302 stay parts of the layer 306 on the surface of the substrate 301 , In some embodiments, residues of the underlayer may also be present 307 on the surface of the layer 306 to be available. A thickness of the layer 306 is a thickness of the first sublayer 308 the layer 306 essentially the same.
[0092] Anschließend werdenTeile der Schicht 306 überden Isoliergräben 304, 305 entfernt. Ähnlich wie inder mit Bezug auf die 2a bis 2d beschriebenenAusführungsformkann dies durch Fotolithographie oder durch Aussetzen der Schicht 306 anein Ätzmittel,das amorphes Schichtmaterial mit einer höheren Rate als kristallinesSchichtmaterial ätzt,geschehen. Der Feldeffekttransistor 300 wird durch Implantierenvon Ionen einer Dotiersubstanz in die Schicht 306 und Annealendes Feldeffekttransistors 300 zum Ausbilden eines erhöhten Sourcegebiets undeines erhöhtenDraingebiets fertiggestellt.Subsequently, parts of the layer 306 over the isolation trenches 304 . 305 away. Similar in terms of in terms of 2a to 2d described embodiment, this may be by photolithography or by exposure of the layer 306 to an etchant which etches amorphous layer material at a higher rate than crystalline layer material. The field effect transistor 300 is implanted by implanting ions of a dopant into the layer 306 and annealing the field effect transistor 300 completed to form a raised source region and an elevated drain region.
[0093] Für die vorliegendeErfindung ist es nicht notwendig, die Unterschicht mit dem Ätzindikatormaterialals eine zweite Unterschicht zwischen einer ersten und einer drittenUnterschicht, die überhauptkein Ätzindikatormaterialoder nur kleine Mengen des Ätzindikatormaterialsenthalten, bereitzustellen.For the presentInvention, it is not necessary, the lower layer with the Ätzindikatormaterialas a second sublayer between a first and a thirdUnderclass, everno caustic indicator materialor only small amounts of the caustic indicator materialincluded, to provide.
[0094] Inanderen Ausführungsformender vorliegenden Erfindung wird beim Abscheiden der Schicht ausdem Material auf dem Substrat eine erste Unterschicht mit überhauptkeinem Ätzindikatormaterial odernur kleinen Mengen des Ätzindikatormaterials über demSubstrat abgeschieden. In einer Ausführungsform der vorliegendenErfindung enthältdie erste Unterschicht weniger als 10²⁰ Atome/cm³ des Ätzindikatormaterials.In anderen Ausführungsformender vorliegenden Erfindung kann die erste Unterschicht weniger als10¹⁸ Atome/cm³ des Ätzindikatormaterialsenthalten. Anschließendwird eine relativ dicke zweite Unterschicht, die zusätzlich das Ätzindikatormaterialenthält,abgeschieden. Die erste Unterschicht kann eine Dicke im Bereichvon 10 nm bis 100 nm haben. Die zweite Unterschicht kann eine Dickeim Bereich von 50 nm bis 300 nm haben. Anschließend wird die Schicht planarisiertund einem Ätzmittel,das dafürausgelegt ist, selektiv das Schichtmaterial zu entfernen, ausgesetzt.Eine für einechemische Reaktion zwischen dem Ätzindikatormaterialund dem ÄtzmittelrepräsentativeEmissionsintensitätwird gemessen. Solange die zweite Unterschicht geätzt wird,werden großeWerte der Emissionsintensitätgemessen. Die Emissionsintensität nimmtab, sobald die zweite Unterschicht vollständig entfernt ist. Der Ätzprozesswird bei einer Detektion der Abnahme der Emissionsintensität beendet.In other embodiments of the present invention, as the layer of material on the substrate is deposited, a first sub-layer having no etchant indicator material at all or only small amounts of the etchant indicator material is deposited over the substrate. In one embodiment of the present invention, the first sub-layer contains less than 10 ²⁰ atoms / cm ^{3 of} the etchant indicator material. In other embodiments of the present invention, the first sub-layer may contain less than 10 ¹⁸ atoms / cm ^{3 of} the etchant indicator material. Subsequently, a relatively thick second sub-layer, which additionally contains the Ätzindikatormaterial deposited. The first sub-layer may have a thickness in the range of 10 nm to 100 nm. The second sub-layer may have a thickness in the range of 50 nm to 300 nm. Subsequently, the layer is planarized and exposed to an etchant designed to selectively remove the layer material. An emission intensity representative of a chemical reaction between the etchant indicator material and the etchant is measured. As long as the second sublayer is etched, large values of emission intensity are measured. The emission intensity decreases as soon as the second sublayer is completely removed. The etching process is terminated upon detection of the decrease in emission intensity.
[0095] Inweiteren Ausführungsformender vorliegenden Erfindung wird die Dicke der Schicht aus dem Materialgemessen. Dies kann mit Hilfe interferometrischer Techniken geschehen.Licht mit einer Wellenlänge,bei der die Schicht durchsichtig ist, wird auf die Schicht gerichtet.Ein erster Teil des Lichts wird an der Oberfläche der Schicht reflektiert.Ein zweiter Teil des Lichts wird an der Grenzfläche zwischen der Schicht unddem Substrat reflektiert. Der erste und der zweite Teil interferierenmiteinander. Während des Ätzens derSchicht nimmt die Dicke der Schicht ab, so dass eine Phasendifferenzzwischen dem ersten und dem zweiten Teil variiert. Dies führt zu sinusförmigen Variationender Intensitätdes reflektierten Lichts. Damit kann die Dicke des entfernten Teilsder Schicht in Einheiten der Wellenlänge des Lichts gemessen werden.Der Ätzprozesswird beendet, sobald die Dicke des entfernten Teils gleich dem vorbestimmtenWert oder größer alsder vorbestimmte Wert ist.Infurther embodimentsThe present invention provides the thickness of the layer of materialmeasured. This can be done using interferometric techniques.Light with one wavelength,in which the layer is transparent, is directed to the layer.A first part of the light is reflected at the surface of the layer.A second part of the light is at the interface between the layer andreflected the substrate. The first and second parts interferetogether. During the etching of theLayer decreases the thickness of the layer, leaving a phase differencevaries between the first and the second part. This leads to sinusoidal variationsthe intensityof the reflected light. This allows the thickness of the removed partof the layer are measured in units of the wavelength of the light.The etching processis terminated as soon as the thickness of the removed part is equal to the predetermined oneValue or greater thanis the predetermined value.
[0096] Dievorliegende Erfindung ist nicht auf das Ausbilden von Feldeffekttransistorenmit einem erhöhtenSourcegebiet und einem erhöhtenDraingebiet beschränkt.Statt dessen kann die vorliegende Erfindung ganz allgemein auf dasAusbilden von Schichten eines Materials neben einem Strukturelementauf einem Substrat angewendet werden. Beispielsweise kann die vorliegendeErfindung beim Ausbilden von Kontaktbereichen angewendet werden.TheThe present invention is not limited to the formation of field effect transistorswith an elevatedSource area and an elevatedLimited drainage area.Instead, the present invention may be more generally applied to theForming layers of a material next to a structural elementbe applied to a substrate. For example, the presentInvention be applied when forming contact areas.
[0097] WeitereModifikationen und Variationen der vorliegenden Erfindung werdenden Fachleuten im Lichte dieser Beschreibung offensichtlich. Dementsprechendmuss diese Beschreibung als lediglich illustrativ angesehen werdenund dient dem Zweck, den Fachleuten die allgemeine Art des Ausführens derErfindung zu lehren. Es muss verstanden werden, dass die gezeigtenund hierin beschriebenen Formen der Erfindung als die gegenwärtig bevorzugtenAusführungsformenangesehen werden müssen.Further modifications and variations of the The present invention will become apparent to those skilled in the art in light of this description. Accordingly, this description is to be considered as illustrative only and for the purpose of teaching those skilled in the art the general mode of carrying out the invention. It should be understood that the forms of the invention shown and described herein must be considered as the presently preferred embodiments.

权利要求:
Claims (31)
[1]
Verfahren mit: Bereitstellen eines Substratsmit einem Strukturelement; Abscheiden einer Schicht aus einemMaterial über demSubstrat und dem Strukturelement; Planarisieren der Schichtaus dem Material; Aussetzen der Schicht aus dem Material anein Ätzmittel,wobei das Ätzmitteldafür ausgelegtist, selektiv die Schicht aus dem Material zu entfernen; und Beendendes Aussetzens der Schicht aus dem Material an das Ätzmittelvor einem vollständigenEntfernen der Schicht.Method with:Providing a substratewith a structural element;Depositing a layer from aMaterial above thatSubstrate and the structural element;Planarize the layerfrom the material;Exposing the layer of the materialan etchant,the etchantdesigned for itis to selectively remove the layer of the material; andbreak upexposing the layer of the material to the etchantbefore a completeRemove the layer.
[2]
Verfahren nach Anspruch 1, wobei eine Dicke der abgeschiedenenSchicht größer alseine Höhe desStrukturelements ist.The method of claim 1, wherein a thickness of the depositedLayer larger thana height ofStructure element is.
[3]
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Beenden desAussetzens der Schicht aus dem Material an das Ätzmittel nach einem Freilegenmindestens eines Teils des Strukturelements durchgeführt wird.The method of claim 1, wherein terminating theExposing the layer of the material to the etchant after exposureat least a part of the structural element is performed.
[4]
Verfahren nach Anspruch 1, das zusätzlich Ausbildenmindestens eines ein Abstandhaltermaterial umfassenden Abstandhaltersneben dem Strukturelement umfasst, wobei der mindestens eine Abstandhaltereine gewinkelte Form hat, wobei ein erster Schenkel des mindestenseinen Abstandhalters im Wesentlichen parallel zu einer Oberfläche des Substratsist und ein zweiter Schenkel des mindestens ei nen Abstandhaltersim Wesentlichen parallel zu einer Seitenfläche des Strukturelements ist.The method of claim 1, additionally formingat least one spacer comprising a spacer materialin addition to the structural element, wherein the at least one spaceran angled shape, wherein a first leg of at leasta spacer substantially parallel to a surface of the substrateis and a second leg of at least egg NEN spaceris substantially parallel to a side surface of the structural element.
[5]
Verfahren nach Anspruch 4, zusätzlich mit Ausbilden einerSchutzschicht, die das Strukturelement und einen Teil des Substratsneben dem Strukturelement zumindest teilweise bedeckt, wobei der mindestenseine Abstandhalter überder Schutzschicht ausgebildet wird.The method of claim 4, further comprising forming aProtective layer containing the structural element and part of the substrateat least partially covered next to the structural element, wherein the at leasta spacer overthe protective layer is formed.
[6]
Verfahren nach Anspruch 4, zusätzlich mit: Detektieren,wann der Ätzprozessden ersten Schenkel freilegt; wobei das Aussetzen der Schichtaus dem Material an das Ätzmittelnach dem Detektieren des Freilegens des ersten Schenkels beendetwird.The method of claim 4, additionally comprising:detect,when the etching processexposing the first leg;the exposure of the layerfrom the material to the etchantterminated after detecting the exposure of the first legbecomes.
[7]
Verfahren nach Anspruch 6, zusätzlich mit: Messen einerfür einechemische Reaktion zwischen dem Ätzmittelund dem Abstandhaltermaterial repräsehtativen Emissionsintensität; und wobeidas Detektieren des Freilegens des ersten Schenkels Detektiereneiner Änderungder Emissionsintensitätumfasst.The method of claim 6, additionally comprising:Measuring afor onechemical reaction between the etchantand the spacer material representational emission intensity; andin whichdetecting the detection of the freeing of the first lega changethe emission intensityincludes.
[8]
Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Seitenfläche desStrukturelements im Wesentlichen senkrecht zu der Oberfläche desSubstrats ist.Method according to claim 4, wherein the side surface of theStructural element substantially perpendicular to the surface of theSubstrate is.
[9]
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Abscheiden derSchicht umfasst: Abscheiden einer ersten Unterschicht, diedas Material enthält,auf dem Substrat; und Abscheiden einer zweiten Unterschicht,die ein Ätzindikatormaterialenthält,auf der ersten Unterschicht.The method of claim 1, wherein depositing theLayer includes:Depositing a first sublayer, thecontains the material,on the substrate; andDepositing a second sublayer,which is an etch indicator materialcontainson the first lower layer.
[10]
Verfahren nach Anspruch 9, zusätzlich mit: Messen einerfür einechemische Reaktion zwischen dem Ätzindikatormaterialund dem ÄtzmittelrepräsentativenEmissionsintensität;und wobei das Beenden des Aussetzens der Schicht an das Ätzmittelbei einer Detektion einer Änderungder Emissionsintensitätdurchgeführtwird.The method of claim 9, additionally comprising:Measuring afor onechemical reaction between the Ätzindikatormaterialand the etchantrepresentativeEmission intensity;andwherein terminating the exposure of the layer to the etchantupon detection of a changethe emission intensitycarried outbecomes.
[11]
Verfahren nach Anspruch 9, wobei das Abscheidender Schicht zusätzlichAbscheiden einer dritten Unterschicht, die das Material enthält, aufder zweiten Unterschicht umfasst.The method of claim 9, wherein the depositingthe layer additionallyDepositing a third sub-layer containing the materialthe second sub-layer comprises.
[12]
Verfahren nach Anspruch 1, zusätzlich mit Messen einer Dickeeines entfernten Teils der Schicht; und wobei das Aussetzender Schicht aus dem Material an das Ätzmittel beendet wird, sobalddie gemessene Dicke gleich oder größer einem vorbestimmten Wert ist.The method of claim 1, additionally comprising measuring a thicknessa remote part of the layer; andthe suspensionthe layer of the material is terminated to the etchant as soon asthe measured thickness is equal to or greater than a predetermined value.
[13]
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Strukturelementeine Gate-Elektrode umfasst.The method of claim 1, wherein the structural elementa gate electrode.
[14]
Verfahren nach Anspruch 1, zusätzlich mit Ausbilden einerSchutzschicht, die das Strukturelement zumindest teilweise bedeckt.The method of claim 1, further comprising forming aProtective layer that covers the structural element at least partially.
[15]
Verfahren nach Anspruch 1, zusätzlich mit selektivem Entfernender Schicht aus dem Material von einem Isoliergraben.The method of claim 1, additionally with selective removalthe layer of material from an isolation trench.
[16]
Verfahren nach Anspruch 15, wobei das selektiveEntfernen der Schicht aus dem Material von einem Isoliergraben Aussetzender Schicht aus dem Material an ein zweites Ätzmittel umfasst, wobei das zweite Ätzmitteldafür ausgelegtist, das Material in einem amorphen Zustand mit einer höheren Rateals das Material in einem kristallinen Zustand zu ätzen.The method of claim 15, wherein the selectiveRemove the layer of material from an isolation trenchthe layer of the material to a second etchant, wherein the second etchantdesigned for itis the material in an amorphous state at a higher rateas the material to etch in a crystalline state.
[17]
Verfahren mit: Bereitstellen eines Substratsmit einem Strukturelement; Ausbilden mindestens eines Abstandhalters,der ein Abstandhaltermaterial enthält, neben dem Strukturelement,wobei der mindestens eine Abstandhalter eine gewinkelte Form hat,ein erster Schenkel des mindestens einen Abstandhalters im Wesentlichen parallelzu einer Oberflächedes Substrats ist und ein zweiter Schenkel des mindestens einenAbstandhalters im Wesentlichen parallel zu einer Seitenfläche desStrukturelements ist; Abscheiden einer Schicht aus einem Material über demSubstrat und dem Strukturelement; Planarisieren der Schichtaus dem Material; Aussetzen der Schicht aus dem Material anein Ätzmittel,wobei das Ätzmitteldafür ausgelegtist, selektiv die Schicht aus dem Material zu entfernen; Detektieren,wann der Ätzprozessden ersten Schenkel freilegt; und Beenden des Aussetzens derSchicht aus dem Material an das Ätzmittelbeim Detektieren des Freilegens des ersten Schenkels.A method comprising: providing a substrate with a structural member ment; Forming at least one spacer containing a spacer material adjacent the structural element, the at least one spacer having an angled shape, a first leg of the at least one spacer substantially parallel to a surface of the substrate, and a second leg of the at least one spacer substantially parallel to a side surface of the structural element; Depositing a layer of a material over the substrate and the structural member; Planarizing the layer of the material; Exposing the layer of material to an etchant, the etchant adapted to selectively remove the layer of material; Detecting when the etching process exposes the first leg; and terminating the exposure of the layer of material to the etchant upon detecting the exposure of the first leg.
[18]
Verfahren nach Anspruch 17, wobei eine Dicke derabgeschiedenen Schicht größer alseine Höhedes Strukturelements ist.The method of claim 17, wherein a thickness of thedeposited layer greater thana heightof the structural element.
[19]
Verfahren nach Anspruch 17, zusätzlich mit Ausbilden einerSchutzschicht, die das Strukturelement und einen Teil des Substratsneben dem Strukturelement zumindest teilweise bedeckt, wobei der mindestenseine Abstandhalter überder Schutzschicht ausgebildet wird.The method of claim 17, further comprising forming aProtective layer containing the structural element and part of the substrateat least partially covered next to the structural element, wherein the at leasta spacer overthe protective layer is formed.
[20]
Verfahren nach Anspruch 17, zusätzlich mit: Messen einerEmissionsintensität,die füreine chemische Reaktion zwischen dem Ätzmittel und dem Abstandhaltermaterialrepräsentativist; und wobei das Detektieren des Freilegens des ersten SchenkelsDetektieren einer Änderungder Emissionsintensitätumfasst.The method of claim 17, additionally comprising:Measuring aEmission intensity,the fora chemical reaction between the etchant and the spacer materialrepresentativeis; andwherein detecting the exposure of the first legDetecting a changethe emission intensityincludes.
[21]
Verfahren nach Anspruch 17, wobei die Seitenfläche desStrukturelements im Wesentlichen senkrecht zu der Oberfläche desSubstrats ist.A method according to claim 17, wherein the side surface of theStructural element substantially perpendicular to the surface of theSubstrate is.
[22]
Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Strukturelementeine Gate-Elektrode umfasst.The method of claim 17, wherein the structural elementa gate electrode.
[23]
Verfahren nach Anspruch 17, zusätzlich mit Ausbilden einerSchutzschicht, die das Strukturelement zumindest teilweise bedeckt.The method of claim 17, further comprising forming aProtective layer that covers the structural element at least partially.
[24]
Verfahren nach Anspruch 17, zusätzlich mit selektivem Entfernender Schicht aus dem Material von eienem Isoliergraben.The method of claim 17, additionally with selective removalthe layer of material from an isolation trench.
[25]
Verfahren nach Anspruch 24, wobei das selektiveEntfernen der Schicht aus dem Material vom einem Isoliergraben Aussetzender Schicht aus dem Material an ein zweites Ätzmittel umfasst, wobei das zweite Ätzmitteldafür ausgelegtist, das Material in einem amorphen Zustand mit einer höheren Rateals das Material in einem kristallinen Zustand zu ätzen.The method of claim 24, wherein the selectiveRemove the layer of material from an isolation trenchthe layer of the material to a second etchant, wherein the second etchantdesigned for itis the material in an amorphous state at a higher rateas the material to etch in a crystalline state.
[26]
Verfahren mit: Bereitstellen eines Substratsmit einem Strukturelement; Abscheiden einer Schicht aus einemMaterial über demSubstrat und dem Strukturelement, wobei die Schicht aus dem Materialeine Unterschicht, die zusätzlichein Ätzindikatormaterialenthält,umfasst; Planarisieren der Schicht aus dem Material; Aussetzender Schicht aus dem Material an ein Ätzmittel, wobei das Ätzmitteldafür ausgelegtist, selektiv die Schicht aus dem Material zu entfernen; Messeneiner Emissionsintensität,die füreine chemische Reaktion zwischen dem Ätzindikatormaterial und dem Ätzmittelrepräsentativist; und Beenden des Aussetzens der Schicht aus dem Materialan das Ätzmittelnach einer Detektion einer Änderungder Emissionsintensität.Method with:Providing a substratewith a structural element;Depositing a layer from aMaterial above thatSubstrate and the structural element, wherein the layer of the materiala lower class, in additionan etchant indicator materialcontainsincludes;Planarizing the layer of the material;exposethe layer of the material to an etchant, wherein the etchantdesigned for itis to selectively remove the layer of the material;measure upan emission intensity,the fora chemical reaction between the etchant indicator material and the etchantrepresentativeis; andTerminating the exposure of the layer of the materialto the etchantafter detecting a changethe emission intensity.
[27]
Verfahren nach Anspruch 26, wobei eine Dicke derabgeschiedenen Schicht größer alseine Höhedes Strukturelements ist.The method of claim 26, wherein a thickness of thedeposited layer greater thana heightof the structural element.
[28]
Verfahren nach Anspruch 27, wobei das Strukturelementeine Gate-Elektrode umfasst.The method of claim 27, wherein the structural elementa gate electrode.
[29]
Verfahren nach Anspruch 26, zusätzlich mit Ausbilden einerSchutzschicht, die das Strukturelement mindestens teilweise bedeckt.The method of claim 26, further comprising forming aProtective layer which at least partially covers the structural element.
[30]
Verfahren nach Anspruch 26, zusätzlich mit selektivem Entfernender Schicht aus dem Material von einem Isoliergraben.The method of claim 26, additionally with selective removalthe layer of material from an isolation trench.
[31]
Verfahren nach Anspruch 29, wobei das selektiveEntfernen der Schicht aus dem Material von einem Isoliergraben Aussetzender Schicht aus dem Material an ein zweites Ätzmittel umfasst, wobei das zweite Ätzmitteldafür ausgelegtist, das Material in einem amorphen Zustand mit einer höheren Rateals das Material in einem kristallinen Zustand zu ätzen.The method of claim 29, wherein the selectiveRemove the layer of material from an isolation trenchthe layer of the material to a second etchant, wherein the second etchantdesigned for itis the material in an amorphous state at a higher rateas the material to etch in a crystalline state.

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公开号 | 公开日

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US20050170660A1|2005-08-04|

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DE102004004846B4|2006-06-14|

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US7338872B2|2008-03-04|

引用文献:

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公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

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法律状态:
2005-09-08| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|

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2006-12-07| 8364| No opposition during term of opposition|

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2011-02-03| 8327| Change in the person/name/address of the patent owner|Owner name: GLOBALFOUNDRIES INC., GRAND CAYMAN, KY |

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2011-02-03| 8328| Change in the person/name/address of the agent|Representative=s name: GRUENECKER, KINKELDEY, STOCKMAIR & SCHWANHAEUSSER, |

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2013-11-14| R119| Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee|Effective date: 20130801 |

优先权:

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申请号 | 申请日 | 专利标题

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DE200410004846|DE102004004846B4|2004-01-30|2004-01-30|A method for depositing a layer of a material on a substrate|DE200410004846| DE102004004846B4|2004-01-30|2004-01-30|A method for depositing a layer of a material on a substrate|

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US11/009,825| US7338872B2|2004-01-30|2004-12-10|Method of depositing a layer of a material on a substrate|